IGBT模塊靜參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)@測(cè)試參數(shù)
IGEs∶柵極漏流
VGE(th)∶柵極發(fā)射極閾值電壓
VCEsat∶集電極發(fā)射極飽和電壓
VF∶二極管正向壓降
ICEs∶集電極截止電流
VCES∶集電極擊穿電壓
IGBT模塊靜參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)@輸出配置
集電極電壓(VCE):標(biāo)配:6500V
選配:10KV,6.5KV,4.5KV,3.3KV
集電極電流(ICE):標(biāo)配:1600A
選配:10KA,5KA,2400A,1600A
柵極電壓(VGE):40V(選配100V)
柵極電流(IGE):10uA;
IGBT模塊靜參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)@系統(tǒng)特點(diǎn)
用于大功率IGBT 和?Diode模塊的靜態(tài)直流參數(shù)測(cè)試。電壓10KV,6.5KV,4.5KV,3.3KV;電流10KA,5KA,2400A,1600A;
智能化、自動(dòng)式操作基于“測(cè)試主機(jī)”“計(jì)算機(jī)程控系統(tǒng)”“氣動(dòng)工裝”協(xié)調(diào)完成。DUT連接“氣動(dòng)工裝”“軟連接”均可;
操作簡(jiǎn)單(點(diǎn)按鈕,艙門(mén)開(kāi),手動(dòng)將DUT放置夾具底座,再點(diǎn)擊,夾具底座歸艙,艙門(mén)關(guān)。點(diǎn)擊按鈕完成測(cè)試且數(shù)據(jù)自動(dòng)保存);
編程簡(jiǎn)單(參考器件規(guī)格書(shū)在軟件上編輯“測(cè)試程序”);
不同封裝形式提供不同的定制“適配器”;
可進(jìn)行室溫~200℃高溫測(cè)試,此項(xiàng)目屬于選配;
測(cè)試結(jié)果自動(dòng)保存為EXCEL文件;
安全穩(wěn)定(PLC對(duì)設(shè)備工作狀態(tài)全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖);
安全性,防爆,防觸電,防燙傷,短路保護(hù)等多重保護(hù)措施,確保操作人員、設(shè)備、數(shù)據(jù)及樣品安全
IGBT模塊靜參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)@量程精度